ส่วนจำนวน :
SI1079X-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
1.44A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
26nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
750pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
330mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SC-89-6
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-563, SOT-666