ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
700V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.6A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
13.9nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
351pF @ 50V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
41W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-251
แพ็คเกจ / เคส :
TO-251-3 Stub Leads, IPak