ส่วนจำนวน :
SI7113ADN-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
10.8A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
132 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.6V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
16.5nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
515pF @ 50V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
27.8W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerPAK® 1212-8
แพ็คเกจ / เคส :
PowerPAK® 1212-8