EPC - EPC2022

KEY Part #: K6407444

EPC2022 ราคา (USD) [19588ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.32586
  • 500 pcs$2.31429

ส่วนจำนวน:
EPC2022
ผู้ผลิต:
EPC
คำอธิบายโดยละเอียด:
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in EPC EPC2022 electronic components. EPC2022 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2022, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2022 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : EPC2022
ผู้ผลิต : EPC
ลักษณะ : GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
ชุด : eGaN®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : GaNFET (Gallium Nitride)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 60A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 12mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : +6V, -4V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1500pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Die
แพ็คเกจ / เคส : Die
คุณอาจสนใจด้วย
  • PN3685

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH TO-92.

  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • 2SK3462(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

  • 2SK3342(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.