Vishay Siliconix - SI5463EDC-T1-GE3

KEY Part #: K6406070

[1446ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SI5463EDC-T1-GE3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5463EDC-T1-GE3 electronic components. SI5463EDC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5463EDC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5463EDC-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SI5463EDC-T1-GE3
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3.8A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 4A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±12V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.25W (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 1206-8 ChipFET™
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SMD, Flat Lead