ลักษณะ :
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
200mA (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
30 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5V @ 25µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
120pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET :
Depletion Mode
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.1W (Ta), 25W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-251
แพ็คเกจ / เคส :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA