ลักษณะ :
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
1700V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2A (Tj)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
110nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
3650pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET :
Depletion Mode
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
568W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-268
แพ็คเกจ / เคส :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA