Infineon Technologies - IRFHS9351TR2PBF

KEY Part #: K6524068

[3954ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRFHS9351TR2PBF
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IRFHS9351TR2PBF electronic components. IRFHS9351TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHS9351TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFHS9351TR2PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRFHS9351TR2PBF
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
    ชุด : HEXFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 P-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2.3A
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 3.1A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.4V @ 10µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 3.7nC @ 10V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 160pF @ 25V
    พลังงาน - สูงสุด : 1.4W
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 6-PowerVDFN
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-PQFN Dual (2x2)

    คุณอาจสนใจด้วย