Vishay Siliconix - SI5513CDC-T1-GE3

KEY Part #: K6525445

SI5513CDC-T1-GE3 ราคา (USD) [383787ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

ส่วนจำนวน:
SI5513CDC-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI5513CDC-T1-GE3 electronic components. SI5513CDC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5513CDC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5513CDC-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI5513CDC-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4A, 3.7A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 4.2nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 285pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด : 3.1W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SMD, Flat Lead
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 1206-8 ChipFET™

คุณอาจสนใจด้วย