ส่วนจำนวน :
SI5513CDC-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
ประเภท FET :
N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4A, 3.7A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
4.2nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
285pF @ 10V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SMD, Flat Lead
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
1206-8 ChipFET™