Vishay Siliconix - SI3460DV-T1-E3

KEY Part #: K6416099

SI3460DV-T1-E3 ราคา (USD) [8316ชิ้นสต็อก]

  • 3,000 pcs$0.28626

ส่วนจำนวน:
SI3460DV-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI3460DV-T1-E3 electronic components. SI3460DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3460DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3460DV-T1-E3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI3460DV-T1-E3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.1A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 450mV @ 1mA (Min)
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.1W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-TSOP
แพ็คเกจ / เคส : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

คุณอาจสนใจด้วย