ส่วนจำนวน :
SI3460DV-T1-E3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
5.1A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
450mV @ 1mA (Min)
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.1W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
6-TSOP
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6