ผู้ผลิต :
Texas Instruments
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2.2A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
14nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
777pF @ 30V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
3-PICOSTAR