Microsemi Corporation - APT25GN120BG

KEY Part #: K6421761

APT25GN120BG ราคา (USD) [11446ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.60052
  • 10 pcs$3.23914
  • 25 pcs$2.95110
  • 100 pcs$2.66319
  • 250 pcs$2.44726
  • 500 pcs$2.23133
  • 1,000 pcs$1.94342

ส่วนจำนวน:
APT25GN120BG
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT 1200V 67A 272W TO247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APT25GN120BG electronic components. APT25GN120BG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT25GN120BG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT25GN120BG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APT25GN120BG
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : IGBT 1200V 67A 272W TO247
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 67A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) : 75A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 25A
พลังงาน - สูงสุด : 272W
การสลับพลังงาน : 2.15µJ (off)
ประเภทอินพุต : Standard
ค่าประตู : 155nC
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c : 22ns/280ns
ทดสอบสภาพ : 800V, 25A, 1 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247 [B]

คุณอาจสนใจด้วย
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.

  • BSS123NH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.

  • BSS7728NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.

  • SSM3K7002KF,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 0.4A.

  • 2N7002

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23.