IXYS - T-TD1R4N60P 11

KEY Part #: K6400921

[3230ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    T-TD1R4N60P 11
    ผู้ผลิต:
    IXYS
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 600V.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in IXYS T-TD1R4N60P 11 electronic components. T-TD1R4N60P 11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for T-TD1R4N60P 11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    T-TD1R4N60P 11 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : T-TD1R4N60P 11
    ผู้ผลิต : IXYS
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : -
    เทคโนโลยี : -
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : -
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : -
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
    Vgs (สูงสุด) : -
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
    อุณหภูมิในการทำงาน : -
    ประเภทการติดตั้ง : -
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -
    แพ็คเกจ / เคส : -

    คุณอาจสนใจด้วย