Infineon Technologies - IPB80N06S2L11ATMA2

KEY Part #: K6419785

IPB80N06S2L11ATMA2 ราคา (USD) [132058ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.28009
  • 1,000 pcs$0.26677

ส่วนจำนวน:
IPB80N06S2L11ATMA2
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPB80N06S2L11ATMA2 electronic components. IPB80N06S2L11ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S2L11ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80N06S2L11ATMA2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPB80N06S2L11ATMA2
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 55V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 80A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 93µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2075pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 158W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO263-3-2
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.

  • TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3.

  • AUIRLR3410TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.