GeneSiC Semiconductor - S6DR

KEY Part #: K6425067

S6DR ราคา (USD) [23353ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.14724
  • 200 pcs$2.13656

ส่วนจำนวน:
S6DR
ผู้ผลิต:
GeneSiC Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4. Rectifiers 200V 6A REV Leads Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S6DR electronic components. S6DR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S6DR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S6DR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : S6DR
ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ : DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard, Reverse Polarity
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 6A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.1V @ 6A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 100V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Chassis, Stud Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-203AA, DO-4, Stud
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-4
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 175°C
คุณอาจสนใจด้วย
  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • VS-20ETS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

  • VS-18TQ045SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK.