Vishay Siliconix - SI8404DB-T1-E1

KEY Part #: K6408585

[576ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SI8404DB-T1-E1
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SI8404DB-T1-E1 electronic components. SI8404DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8404DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI8404DB-T1-E1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SI8404DB-T1-E1
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
    ชุด : TrenchFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 8V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 12.2A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 33nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±5V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1950pF @ 4V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 4-Microfoot
    แพ็คเกจ / เคส : 4-XFBGA, CSPBGA

    คุณอาจสนใจด้วย