Vishay Siliconix - IRFD213

KEY Part #: K6403046

[2493ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRFD213
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFD213 electronic components. IRFD213 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD213, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFD213 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRFD213
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 250V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 450mA (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 270mA, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : -
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 140pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
    แพ็คเกจ / เคส : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

    คุณอาจสนใจด้วย