ส่วนจำนวน :
TSM180N03PQ33 RGG
ผู้ผลิต :
Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
25A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
4.1nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
345pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
21W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-PDFN (3x3)
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerWDFN