ส่วนจำนวน :
DMT10H009LSS-13
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
13A (Ta), 48A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
40.2nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
2309pF @ 50V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.8W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)