ส่วนจำนวน :
RW1E025RPT2CR
ผู้ผลิต :
Rohm Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2.5A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
5.2nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
480pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
700mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
6-WEMT
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-563, SOT-666