Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K403TU,LF

KEY Part #: K6421523

SSM6K403TU,LF ราคา (USD) [708494ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.05771
  • 3,000 pcs$0.05743

ส่วนจำนวน:
SSM6K403TU,LF
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 20V 4.2A.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K403TU,LF electronic components. SSM6K403TU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6K403TU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6K403TU,LF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SSM6K403TU,LF
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 4.2A
ชุด : U-MOSIII
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4.2A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 16.8nC @ 4V
Vgs (สูงสุด) : ±10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1050pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : UF6
แพ็คเกจ / เคส : 6-SMD, Flat Leads