Infineon Technologies - IRFHM8228TRPBF

KEY Part #: K6420766

IRFHM8228TRPBF ราคา (USD) [247954ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.14917
  • 4,000 pcs$0.12793

ส่วนจำนวน:
IRFHM8228TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRFHM8228TRPBF electronic components. IRFHM8228TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM8228TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFHM8228TRPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRFHM8228TRPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 25V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 19A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.35V @ 25µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1667pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.8W (Ta), 34W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN

คุณอาจสนใจด้วย