EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in EPC EPC2012 electronic components. EPC2012 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2012, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : EPC2012

ผู้ผลิต : EPC

ลักษณะ : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

ชุด : eGaN®

สถานะส่วนหนึ่ง : Discontinued at Digi-Key

ประเภท FET : N-Channel

เทคโนโลยี : GaNFET (Gallium Nitride)

ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V

ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3A (Ta)

ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 1mA

ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (สูงสุด) : +6V, -5V

อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 145pF @ 100V

คุณสมบัติของ FET : -

กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -

อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 125°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Die

แพ็คเกจ / เคส : Die

คุณอาจสนใจด้วย