ON Semiconductor - NTMFS5H431NLT1G

KEY Part #: K6420162

NTMFS5H431NLT1G ราคา (USD) [165873ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.22299

ส่วนจำนวน:
NTMFS5H431NLT1G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
T8 40V LOW COSS.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS5H431NLT1G electronic components. NTMFS5H431NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS5H431NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS5H431NLT1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NTMFS5H431NLT1G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : T8 40V LOW COSS
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 23A (Ta), 106A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1730pF @ 20V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3W (Ta), 66W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN, 5 Leads

คุณอาจสนใจด้วย