Infineon Technologies - IRF7353D2TRPBF

KEY Part #: K6411580

[13741ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRF7353D2TRPBF
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7353D2TRPBF electronic components. IRF7353D2TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7353D2TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7353D2TRPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRF7353D2TRPBF
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    ชุด : FETKY™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6.5A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 33nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 650pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : Schottky Diode (Isolated)
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2W (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVP2106ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3.

    • IRFR1205TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 44A DPAK.

    • IRFR120NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.

    • IRFR1205PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 44A DPAK.

    • IRFR024NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

    • IRLR8503TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.