Renesas Electronics America - UPA2820T1S-E2-AT

KEY Part #: K6393961

UPA2820T1S-E2-AT ราคา (USD) [203351ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.19103
  • 5,000 pcs$0.19008

ส่วนจำนวน:
UPA2820T1S-E2-AT
ผู้ผลิต:
Renesas Electronics America
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 8HVSON.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Renesas Electronics America UPA2820T1S-E2-AT electronic components. UPA2820T1S-E2-AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2820T1S-E2-AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UPA2820T1S-E2-AT คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : UPA2820T1S-E2-AT
ผู้ผลิต : Renesas Electronics America
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 8HVSON
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 22A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 5.3 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2330pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.5W (Ta), 16W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerWDFN

คุณอาจสนใจด้วย