ผู้ผลิต :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ลักษณะ :
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.5A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.8V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
12nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
415pF @ 50V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2.8W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
6-DFN-EP (2x2)
แพ็คเกจ / เคส :
6-UDFN Exposed Pad