Infineon Technologies - IPW60R045CPAFKSA1

KEY Part #: K6408492

IPW60R045CPAFKSA1 ราคา (USD) [6365ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$6.47320
  • 240 pcs$5.93869

ส่วนจำนวน:
IPW60R045CPAFKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R045CPAFKSA1 electronic components. IPW60R045CPAFKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R045CPAFKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R045CPAFKSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPW60R045CPAFKSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
ชุด : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 60A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 3mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 6800pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 431W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO247-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย