Vishay Siliconix - SIHG47N60EF-GE3

KEY Part #: K6411261

SIHG47N60EF-GE3 ราคา (USD) [8238ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$4.82566
  • 10 pcs$4.34134
  • 100 pcs$3.56936
  • 500 pcs$2.99055

ส่วนจำนวน:
SIHG47N60EF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG47N60EF-GE3 electronic components. SIHG47N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG47N60EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG47N60EF-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIHG47N60EF-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 47A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4854pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 379W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AC
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • ZVN2120ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

  • ZVN2120A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

  • ZVN2106ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • ZVN2106ASTOA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • ZVN1409ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.

  • ZVN1409ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.