ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
6.7A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
12nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
270pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
3.7W (Ta), 43W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
I2PAK
แพ็คเกจ / เคส :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA