IXYS - IXTJ6N150

KEY Part #: K6395805

IXTJ6N150 ราคา (USD) [9917ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$4.59424
  • 60 pcs$4.57138

ส่วนจำนวน:
IXTJ6N150
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTJ6N150 electronic components. IXTJ6N150 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTJ6N150, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTJ6N150 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTJ6N150
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.85 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2230pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย