IXYS-RF - IXFT6N100F

KEY Part #: K6398166

IXFT6N100F ราคา (USD) [9323ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$6.01115
  • 10 pcs$5.41003
  • 100 pcs$4.44825
  • 500 pcs$3.72691

ส่วนจำนวน:
IXFT6N100F
ผู้ผลิต:
IXYS-RF
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS-RF IXFT6N100F electronic components. IXFT6N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT6N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT6N100F คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFT6N100F
ผู้ผลิต : IXYS-RF
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
ชุด : HiPerRF™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1770pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 180W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-268 (IXFT)
แพ็คเกจ / เคส : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

คุณอาจสนใจด้วย
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.