ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
25V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
1.3A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
70.13pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
540mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
3-DFN1006 (1.0x0.6)