ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
ประเภท FET :
2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
4.6nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
290pF @ 10V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
6-WDFN Exposed Pad
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
6-UDFN (2x2)