ส่วนจำนวน :
FQU10N20TU_AM002
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
7.6A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
18nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
670pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2.5W (Ta), 51W (Tc)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
I-PAK
แพ็คเกจ / เคส :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA