IXYS - IXFG55N50

KEY Part #: K6406040

IXFG55N50 ราคา (USD) [4677ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$10.70490
  • 25 pcs$10.65164

ส่วนจำนวน:
IXFG55N50
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 500V 48A ISO264.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFG55N50 electronic components. IXFG55N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFG55N50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFG55N50 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFG55N50
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 48A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 8mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 330nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 9400pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 400W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : ISO264™
แพ็คเกจ / เคส : ISO264™

คุณอาจสนใจด้วย