IXYS - IXTQ30N60P

KEY Part #: K6394881

IXTQ30N60P ราคา (USD) [16528ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.88183
  • 30 pcs$2.86749

ส่วนจำนวน:
IXTQ30N60P
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTQ30N60P electronic components. IXTQ30N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ30N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ30N60P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTQ30N60P
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
ชุด : PolarHV™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 30A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 5050pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 540W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-3P
แพ็คเกจ / เคส : TO-3P-3, SC-65-3