Diodes Incorporated - DMN3024SFG-7

KEY Part #: K6394668

DMN3024SFG-7 ราคา (USD) [530406ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.06973

ส่วนจำนวน:
DMN3024SFG-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3024SFG-7 electronic components. DMN3024SFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3024SFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3024SFG-7 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMN3024SFG-7
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 7.5A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±25V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 479pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 900mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerDI3333-8
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerVDFN