Central Semiconductor Corp - CXDM3069N TR

KEY Part #: K6399777

CXDM3069N TR ราคา (USD) [243544ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.16789
  • 1,000 pcs$0.16706

ส่วนจำนวน:
CXDM3069N TR
ผู้ผลิต:
Central Semiconductor Corp
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Central Semiconductor Corp CXDM3069N TR electronic components. CXDM3069N TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CXDM3069N TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CXDM3069N TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CXDM3069N TR
ผู้ผลิต : Central Semiconductor Corp
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6.9A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : 12V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 580pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.2W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-89
แพ็คเกจ / เคส : TO-243AA
คุณอาจสนใจด้วย