ผู้ผลิต :
IXYS Integrated Circuits Division
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 250V SOT89
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
250V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
0V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 220mA, 0V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
350pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET :
Depletion Mode
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.4W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 125°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-89