IXYS - IXTK5N250

KEY Part #: K6398053

IXTK5N250 ราคา (USD) [1153ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$44.31046
  • 10 pcs$38.78562

ส่วนจำนวน:
IXTK5N250
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 2500V 5A TO264.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTK5N250 electronic components. IXTK5N250 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTK5N250, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK5N250 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTK5N250
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 2500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 8.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 8560pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 960W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-264 (IXTK)
แพ็คเกจ / เคส : TO-264-3, TO-264AA

คุณอาจสนใจด้วย
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK10A60E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V TO220SIS.

  • TK100A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 100A TO-220.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.