IXYS - IXFB72N55Q2

KEY Part #: K6403163

IXFB72N55Q2 ราคา (USD) [3545ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$13.50455
  • 25 pcs$13.43737

ส่วนจำนวน:
IXFB72N55Q2
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFB72N55Q2 electronic components. IXFB72N55Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFB72N55Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB72N55Q2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFB72N55Q2
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 550V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 72A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 8mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 258nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 10500pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 890W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PLUS264™
แพ็คเกจ / เคส : TO-264-3, TO-264AA