Vishay Siliconix - SIR872DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418436

SIR872DP-T1-GE3 ราคา (USD) [63898ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.61193
  • 3,000 pcs$0.57332

ส่วนจำนวน:
SIR872DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIR872DP-T1-GE3 electronic components. SIR872DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR872DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR872DP-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIR872DP-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 150V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 53.7A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2130pF @ 75V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SO-8
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SO-8

คุณอาจสนใจด้วย
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.