ส่วนจำนวน :
APTC60SKM35T1G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
72A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3.9V @ 5.4mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
518nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
14000pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
416W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP1