ON Semiconductor - NDF04N62ZG

KEY Part #: K6406495

[1299ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    NDF04N62ZG
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor NDF04N62ZG electronic components. NDF04N62ZG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDF04N62ZG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NDF04N62ZG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : NDF04N62ZG
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 620V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4.4A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 50µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 19nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 535pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 28W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220FP
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

    คุณอาจสนใจด้วย