ส่วนจำนวน :
IPB160N04S2L03ATMA2
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH TO262-7
ชุด :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง :
Discontinued at Digi-Key
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
160A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
230nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
6000pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO263-7-3
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)