IXYS - IXTP50N20P

KEY Part #: K6394990

IXTP50N20P ราคา (USD) [33250ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.37025
  • 50 pcs$1.36344

ส่วนจำนวน:
IXTP50N20P
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 200V 50A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTP50N20P electronic components. IXTP50N20P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP50N20P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP50N20P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTP50N20P
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
ชุด : PolarHT™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 50A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2720pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 360W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3