Vishay Siliconix - SI2314EDS-T1-E3

KEY Part #: K6416232

SI2314EDS-T1-E3 ราคา (USD) [306526ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.12067
  • 3,000 pcs$0.10219

ส่วนจำนวน:
SI2314EDS-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-E3 electronic components. SI2314EDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2314EDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2314EDS-T1-E3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI2314EDS-T1-E3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3.77A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 950mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±12V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 750mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-23-3 (TO-236)
แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.