Diodes Incorporated - ZXMN6A08GQTC

KEY Part #: K6393885

ZXMN6A08GQTC ราคา (USD) [213528ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.17322

ส่วนจำนวน:
ZXMN6A08GQTC
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFETN-CH 60VSOT223.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A08GQTC electronic components. ZXMN6A08GQTC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A08GQTC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A08GQTC คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : ZXMN6A08GQTC
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFETN-CH 60VSOT223
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3.8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 5.8nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 459pF @ 40V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-223
แพ็คเกจ / เคส : TO-261-4, TO-261AA

คุณอาจสนใจด้วย