STMicroelectronics - STP20N65M5

KEY Part #: K6417578

STP20N65M5 ราคา (USD) [34700ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.37537
  • 10 pcs$2.12109
  • 100 pcs$1.73913
  • 500 pcs$1.40826
  • 1,000 pcs$1.18769

ส่วนจำนวน:
STP20N65M5
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V 18A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STP20N65M5 electronic components. STP20N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP20N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP20N65M5 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STP20N65M5
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
ชุด : MDmesh™ V
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 18A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±25V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1345pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 130W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย